微波通信、光通信的蓬勃發(fā)展讓單層電容器成了當(dāng)下最炙手可熱無源元件。

這無疑是結(jié)構(gòu)最簡單的電容器

簡單會帶來優(yōu)秀——結(jié)構(gòu)簡單的單層電容器是各類電容器中寄生電感最小。

就是說，能在很高的電頻率下，單層電容器仍然保持“通交流隔直流”的電容特性。

下面這些電容器夠熟悉吧

疊層和卷繞的電極結(jié)構(gòu)使它們的寄生電感太大了，這些電容器放在射頻電路中，對3GHZ及以上高頻率電信號而言，就是一堵厚實(shí)的“墻”，各高頻段信號都無法通過。

而單層電容器工作頻率可高達(dá)100GHZ！

微波通信頻率高達(dá)幾十GHZ，需要的就是“簡單”的它——

單 層 電 容 器

SLC（Single Layer Capacitor）

又稱為芯片電容

制 造 流 程

單層電容器結(jié)構(gòu)

粘附層也可以是：

TaN/ TiW TaN用于增強(qiáng)金屬層與陶瓷的粘附

TiW/Ni Ni用于防止高溫焊接時熱融蝕

單層電容器容量設(shè)計(jì)

即是說，容量（pF)與 介電常數(shù)（ε）和正對面積（L*W）成正比，與厚度（T）成反比。

“113” 是尺寸單位為mm時的常數(shù)。

介 電 常 數(shù)（ε）

常用介質(zhì)類型及其介電常數(shù)范圍

I類介質(zhì)（順電體）耐電壓高，性能最穩(wěn)定，但介電常數(shù)較低。

II類介質(zhì)（鐵電體）耐電壓較高，介電常數(shù)較高，但容量溫度穩(wěn)定性較差。

III類介質(zhì)（晶界層）介電常數(shù)很高，但耐電壓較低。

外 圍 尺 寸 （ L*W）

通用單層電容器一般長寬相等　L=W。

行業(yè)內(nèi)常用英制長寬值(mil)作為尺寸代號。

單 層 電 容 器厚 度 （T）

厚度均未規(guī)定優(yōu)先系列值：

一般厚度為 0.127~0. 30mm

最常用厚度為 0.15~0.22mm

陶瓷介質(zhì)厚度對電容量、耐電壓和機(jī)械強(qiáng)度都有重要的影響。

據(jù)容量公式，選定好介質(zhì)，尺寸大小和厚度后，容量就確定了。

容量均執(zhí)行優(yōu)先系列標(biāo)稱。

按面電極圖形結(jié)構(gòu)分類，單層電容器有以下幾種類型。

留邊單層電容器

留邊還有助于抑制兩面電極間跳火短路。

陳列型單層電容器

陣列布局，配合IC貼裝減少金絲打線距離，提高集成度和整體性能；常用于退耦、射頻旁路和IC隔直。

多電極型單層電容器

電容陣列布局容值呈現(xiàn)一定的規(guī)律變化（如二進(jìn)制），便于精確調(diào)試。.

表面貼裝型單層電容器

可表面貼裝，免去金絲鍵合過程，利于規(guī)模生產(chǎn)，提高生產(chǎn)效率。

單層電容器焊接

第一步，底電極焊接封裝

第二步，面電極鍵合封裝

面電極也有用金絲楔形鍵合的。

單層電容器最常見質(zhì)量問題

電極金層起泡！

金層起泡屬制造不良問題，起泡會引起金絲球焊打線不上、金層脫落等系列問題。